Jeśli Twojej lokalizacji nie ma na liście, wybierz jedną z następujących opcji:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Jeśli Twojej lokalizacji nie ma na liście, wybierz jedną z następujących opcji:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Dom
  2. Produkty
  3. DRAM
  4. LPDDR4X
  5. K4U2E3S4AA-GUCL

Samsung Semiconductor - K4U2E3S4AA-GUCL

KEY Part #: K7359740

[26054szt. Magazyn]

    Numer części:
    K4U2E3S4AA-GUCL
    Producent:
    Samsung Semiconductor
    Szczegółowy opis:
    12 Gb x32 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -40 ~ 125 °C 200FBGA Mass Production.
    Manufacturer's standard lead time:
    W magazynie
    Okres ważności:
    Rok
    Chip z:
    Hongkong
    RoHS:
    Metoda płatności:
    Sposób wysyłki:
    Kategorie rodzinne:
    KEY Components Co., LTD jest dystrybutorem komponentów elektronicznych, który oferuje kategorie produktów, w tym: SLC Nand, GDDR5, LPDDR3, HBM Aquabolt, GDDR6, LPDDR5, DDR4 and DDR3 ...
    Przewaga konkurencyjna:
    We specialize in Samsung Semiconductor K4U2E3S4AA-GUCL electronic components. K4U2E3S4AA-GUCL can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for K4U2E3S4AA-GUCL, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    K4U2E3S4AA-GUCL Cechy produktu

    Numer części : K4U2E3S4AA-GUCL
    Producent : Samsung Semiconductor
    Opis : 12 Gb x32 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -40 ~ 125 °C 200FBGA Mass Production
    Seria : DDR3
    Gęstość : 12 Gb
    Org. : x32
    Prędkość : 4266 Mbps
    Napięcie : 1.8 / 1.1 / 0.6 V
    Temp. : -40 ~ 125 °C
    Pakiet : 200FBGA
    Stan produktu : Mass Production

    Najnowsze wiadomości

    Unlocking the Power of Cloud Computing
    [Video] 5G memory solutions : 5G. All in the Memory.
    Samsung Honored for Outstanding Design and Engineering with 36 CES 2018 Innovation Awards
    Mass Production of Fifth-Generation V-NAND has Started
    5G and Memory - from Connected Thinking to Connected Living
    Inside the building blocks of the 5G future
    Samsung Begins Mass Production of Industry’s First 12Gb LPDDR5 Mobile DRAM for Premium Smartphones
    Exploring the Key Samsung Technologies That Enabled 10nm-Class DRAM
    Speed for the next generation of mobile devices
    Autonomous Driving and the Quest for Safety
    An Exclusive Look Inside Samsung’s Memory Exhibit at MWC
    The Ultra-Low Latency SSD, Z-SSD
    Możesz być zainteresowanym także tym
    • M378A1K43BB1-CPB

      Samsung Semiconductor

      DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2133 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 EOL announced.

    • M378A1K43BB2-CRC

      Samsung Semiconductor

      DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2400 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 EOL announced.

    • M378A1K43BB2-CTD

      Samsung Semiconductor

      DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2666 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 EOL announced.

    • M378A1K43CB2-CPB

      Samsung Semiconductor

      DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2133 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 Mass Production.

    • M378A1K43CB2-CRC

      Samsung Semiconductor

      DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2400 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 Mass Production.

    • M378A1K43CB2-CTD

      Samsung Semiconductor

      DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2666 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 Mass Production.

    Gorące części