Jeśli Twojej lokalizacji nie ma na liście, wybierz jedną z następujących opcji:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Jeśli Twojej lokalizacji nie ma na liście, wybierz jedną z następujących opcji:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Dom
  2. Produkty
  3. DRAM
  4. DDR3
  5. K4B4G1646E-YCMA

Samsung Semiconductor - K4B4G1646E-YCMA

KEY Part #: K7359705

[17661szt. Magazyn]

    Numer części:
    K4B4G1646E-YCMA
    Producent:
    Samsung Semiconductor
    Szczegółowy opis:
    4 Gb 512M x 8 1866 Mbps 1.35 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production.
    Manufacturer's standard lead time:
    W magazynie
    Okres ważności:
    Rok
    Chip z:
    Hongkong
    RoHS:
    Metoda płatności:
    Sposób wysyłki:
    Kategorie rodzinne:
    KEY Components Co., LTD jest dystrybutorem komponentów elektronicznych, który oferuje kategorie produktów, w tym: SLC Nand, HBM Flarebolt, DDR4, LPDDR3, MODULE, LPDDR4, GDDR6 and LPDDR4X ...
    Przewaga konkurencyjna:
    We specialize in Samsung Semiconductor K4B4G1646E-YCMA electronic components. K4B4G1646E-YCMA can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for K4B4G1646E-YCMA, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    K4B4G1646E-YCMA Cechy produktu

    Numer części : K4B4G1646E-YCMA
    Producent : Samsung Semiconductor
    Opis : 4 Gb 512M x 8 1866 Mbps 1.35 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production
    Seria : DDR3
    Gęstość : 4 Gb
    Org. : 512M x 8
    Prędkość : 1866 Mbps
    Napięcie : 1.35 V
    Temp. : 0 ~ 85 °C
    Pakiet : 96FBGA
    Stan produktu : Mass Production

    Najnowsze wiadomości

    5G and Memory - from Connected Thinking to Connected Living
    Samsung’s Newest ISOCELL Image Sensor Enables Mobile Devices to ‘Slow Down’ Time
    Samsung wins 46 CES 2020 Innovation Awards for Outstanding Design and Engineering
    Samsung Electronics Begins Mass Production of Industry's First 12GB LPDDR4X-based uMCP
    Samsung Electronics Takes 3D Memory to New Heights with Sixth-generation V-NAND SSDs for Client Computing
    NF1 SSD, Reach New Heights with Hyper-Scalable Datacenters
    Samsung Electronics Introduces New High Bandwidth Memory Technology Tailored to Data Centers, Graphic Applications, and AI
    Samsung Launches Industry’s First 12Gb LPDDR4 DRAM
    Unlocking the Power of Cloud Computing
    Samsung Announces Production of Industry’s First 2GB LPDDR3 Mobile Memory, Using 30nm-class Technology
    Inside the building blocks of the 5G future
    Samsung Honored for Outstanding Design and Engineering with 36 CES 2018 Innovation Awards
    Możesz być zainteresowanym także tym
    • M378A1K43BB1-CPB

      Samsung Semiconductor

      DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2133 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 EOL announced.

    • M378A1K43BB2-CRC

      Samsung Semiconductor

      DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2400 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 EOL announced.

    • M378A1K43BB2-CTD

      Samsung Semiconductor

      DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2666 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 EOL announced.

    • M378A1K43CB2-CPB

      Samsung Semiconductor

      DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2133 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 Mass Production.

    • M378A1K43CB2-CRC

      Samsung Semiconductor

      DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2400 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 Mass Production.

    • M378A1K43CB2-CTD

      Samsung Semiconductor

      DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2666 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 Mass Production.

    Gorące części